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文献
J-GLOBAL ID：200902296540770865
整理番号：04A0402846
フォトニック結晶構造を用いたInGaN/GaN量子井戸ヘテロ構造発光ダイオード
InGaN/GaN quantum-well heterostructure light-emitting diodes employing photonic crystal structures
WIERER J J
(Lumileds Lighting, California)
,
KRAMES M R
(Lumileds Lighting, California)
,
EPLER J E
(Lumileds Lighting, California)
,
GARDNER N F
(Lumileds Lighting, California)
,
CRAFORD M G
(Lumileds Lighting, California)
,
WENDT J R
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
SIMMONS J A
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
SIGALAS M M
(Agilent Technol., California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 84 号： 19 ページ： 3885-3887 発行年： 2004年05月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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