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文献
J-GLOBAL ID：200902296654222906
整理番号：09A0347507
オクタデシルトリメトキシシランにより改質した参照電界トランジスタの表面モルホロジーがイオン応答に及ぼす効果
Effect of Surface Morphology of Reference Field Effect Transistor Modified by Octadecyltrimethoxysilane on Ionic Responses
KUROIWA Shigeki
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
WANG Jinping
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SATAKE Daisuke
(HORIBA, Ltd., Kyoto, JPN)
,
NOMURA Satoshi
(HORIBA, Ltd., Kyoto, JPN)
,
OSAKA Tetsuya
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 156 号： 4 ページ： J67-J72 発行年： 2009年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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