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文献
J-GLOBAL ID：200902296833990428
整理番号：09A0848835
マイクローP構造を有する600VトレンチーゲートIGBT
600V trench-gate IGBT with Micro-P structure
NAKANO H.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
ONOZAWA Y.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
KAWANO R.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
YAMAZAKI T.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
SEKI Y.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 21st ページ： 132-135 発行年： 2009年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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