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文献
J-GLOBAL ID:200902296833990428   整理番号:09A0848835

マイクローP構造を有する600VトレンチーゲートIGBT

600V trench-gate IGBT with Micro-P structure
著者 (5件):
NAKANO H.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
ONOZAWA Y.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
KAWANO R.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
YAMAZAKI T.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
SEKI Y.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)

資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

巻: 21st  ページ: 132-135  発行年: 2009年 
JST資料番号: W1300A  ISSN: 1943-653X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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