文献
J-GLOBAL ID:200902296936714550
整理番号:03A0506061
有機金属気相エピタクシーによるZrB2基板上でのGaNの成長
Growth of GaN on ZrB2 substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
著者 (9件):
TOMIDA Y
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
NITTA S
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
KAMIYAMA S
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI I
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
OTANI S
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
KINOSHITA H
(Kyocera Corp., Youkaichi, JPN)
,
BELL A
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
PONCE F A
(Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
216
号:
1/4
ページ:
502-507
発行年:
2003年06月30日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)