文献
J-GLOBAL ID:200902296954705003
整理番号:03A0323095
480nm放射のInGaN量子井戸発光ダイオードにおけるキャリア漏洩
Carrier leakage in InGaN quantum well light-emitting diodes emitting at 480 nm
著者 (6件):
POPE I A
(Cardiff Univ., Cardiff, GBR)
,
SMOWTON P M
(Cardiff Univ., Cardiff, GBR)
,
BLOOD P
(Cardiff Univ., Cardiff, GBR)
,
THOMSON J D
(Cardiff Univ., Cardiff, GBR)
,
KAPPERS M J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
HUMPHREYS C J
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
82
号:
17
ページ:
2755-2757
発行年:
2003年04月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)