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文献
J-GLOBAL ID：200902297000146514
整理番号：09A1147284
水素プラズマ誘起化学輸送による冶金級Siからの純化Si膜形成
Purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport
OHMI Hiromasa
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
,
GOTO Akihiro
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
,
KAMADA Daiki
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
,
HAMAOKA Yoshinori
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
,
KAKIUCHI Hiroaki
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
,
YASUTAKE Kiyoshi
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 95 号： 18 ページ： 181506 発行年： 2009年11月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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