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文献
J-GLOBAL ID：200902297147189910
整理番号：06A1014497
Si基板上のAlGaN/GaN HEMTのオフ状態破壊特性へのFeドープGaNバッファの影響
The Effect of an Fe-doped GaN Buffer on OFF-State Breakdown Characteristics in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate
CHOI Young Chul
(Cornell Univ., NY, USA)
,
POPHRISTIC Milan
(Velox Semiconductor Corp., NJ, USA)
,
CHA Ho-Young
(GE Global Res., NY, USA)
,
PERES Boris
(Velox Semiconductor Corp., NJ, USA)
,
SPENCER Michael G.
(Cornell Univ., NY, USA)
,
EASTMAN Lester F.
(Cornell Univ., NY, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53 号： 12 ページ： 2926-2931 発行年： 2006年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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