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文献
J-GLOBAL ID：200902297261214584
整理番号：09A0408240
Si(001)面上における単結晶SiO2クラスタの成長
Growth of single-crystal SiO2 clusters on Si(001) surface
TANEMURA Tetsuo
(Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN)
,
SATO Seiichi
(Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN)
,
KUNDU Manisha
(Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN)
,
YAMADA Chikashi
(Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN)
,
MURATA Yoshitada
(Dep. of Applied Physics and Chemistry, The Univ. of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 105 号： 7 ページ： 074310 発行年： 2009年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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