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文献
J-GLOBAL ID：200902297383728341
整理番号：04A0076516
シクロペンタジエニル前駆体から原子層蒸着によって成長したシリコン上のZrO2薄膜の構造と誘電特性
Structural and dielectric properties of thin ZrO2 films on silicon grown by atomic layer deposition from cyclopentadienyl precursor
NIINISTOE J
(Helsinki Univ. Technol., Espoo, FIN)
,
PUTKONEN M
(Helsinki Univ. Technol., Espoo, FIN)
,
NIINISTOE L
(Helsinki Univ. Technol., Espoo, FIN)
,
KUKLI K
(Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
,
RITALA M
(Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
,
LESKELAE M
(Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 95 号： 1 ページ： 84-91 発行年： 2004年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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