文献
J-GLOBAL ID:200902297407350400
整理番号:05A0217800
(Al,In)GaNレーザーダイオードの横モード安定性についての微細化の影響
Influence of ridge geometry on lateral mode stability of (Al,In)GaN laser diodes
著者 (8件):
SCHWARZ U T
(Univ. Regensburg, Regensburg, DEU)
,
PINDL M
(Univ. Regensburg, Regensburg, DEU)
,
STURM E
(Univ. Regensburg, Regensburg, DEU)
,
FURITSCH M
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
LEBER A
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
MILLER S
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
LELL A
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
HAERLE V
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
202
号:
2
ページ:
261-270
発行年:
2005年01月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)