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文献
J-GLOBAL ID:200902297657565444   整理番号:08A0938773

グラフェンのNi表面上偏析と絶縁体への転写

Graphene segregated on Ni surfaces and transferred to insulators
著者 (6件):
YU Qingkai
(Center for Advanced Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204, USA)
LIAN Jie
(Dep. of Mechanical, Aerospace and Nuclear Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York 12180, USA)
SIRIPONGLERT Sujitra
(Center for Advanced Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204, USA)
LI Hao
(Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, Univ. of Missouri, Columbia, Missouri 65211, USA)
CHEN Yong P.
(Dep. of Physics and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
PEI Shin-shem
(Center for Advanced Materials, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Houston, Houston, Texas 77204, USA)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 93  号: 11  ページ: 113103  発行年: 2008年09月15日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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