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文献

J-GLOBAL ID：200902297722649430 整理番号：03A0300678

MOCVD法によって成長されたGaN-rich side of GaNAsの解析

著者 (5件)：

津田有三

(シャープ基盤研)

毛利裕一

(シャープ基盤研)

三星貴生

(シャープ基盤研)

湯浅貴之

(シャープ基盤研)

種谷元隆

(シャープ基盤研)

資料名：

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻： 50th 号： 1 ページ： 389 発行年： 2003年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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