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文献
J-GLOBAL ID：200902297952174341
整理番号：04A0447896
歪んだSiMOSFETに関するクロスハッチ関連の酸化および性能に及ぼすその影響
Cross-Hatch Related Oxidation and Its Impact on Performance of Strained-Si MOSFETs
NISHISAKA M
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
HAMASAKI Y
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
SHIRATA O
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
ASANO T
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 4B ページ： 1886-1890 発行年： 2004年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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