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文献
J-GLOBAL ID：200902298004347782
整理番号：09A0004043
金属有機化学蒸着法によって低温GaNバッファ層に成長させたAlGaN膜におけるAlの組成変化
Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
ZHAO D.g.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...)
,
JIANG D.s.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...)
,
ZHU J.j.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...)
,
LIU Z.s.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...)
,
ZHANG S.m.
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...)
,
YANG Hui
(State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...)
,
YANG Hui
(Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215125, CHN)
,
JAHN U.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
,
PLOOG K.h.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 310 号： 24 ページ： 5266-5269 発行年： 2008年12月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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