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文献
J-GLOBAL ID：200902298010349509
整理番号：04A0628675
多層InAs/GaAs量子ドット構造に及ぼすスペーサ層の成長温度の影響
Influences of the spacer layer growth temperature on multilayer InAs/GaAs quantum dot structures
LIU H Y
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
SELLERS I R
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
GUTIERREZ M
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
GROOM K M
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
SOONG W M
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
HOPKINSON M
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
DAVID J P R
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
,
BEANLAND R
(Bookham Technology plc, Northamptonshire, GBR)
,
BADCOCK T J
(Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 96 号： 4 ページ： 1988-1992 発行年： 2004年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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