文献
J-GLOBAL ID:200902298524852846
整理番号:08A0569179
水素停止のダイヤモンド電界効果トランジスタのゲート界面層
Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors
著者 (4件):
KASU Makoto
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN)
,
UEDA Kenji
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN)
,
KAGESHIMA Hiroyuki
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN)
,
YAMAUCHI Yoshiharu
(NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-0198, JPN)
資料名:
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻:
17
号:
4-5
ページ:
741-744
発行年:
2008年04月
JST資料番号:
W0498A
ISSN:
0925-9635
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)