文献
J-GLOBAL ID:200902298647611304
整理番号:05A0783734
高密度,高性能DRAM用の高度スケーリングが可能なサドルMOSFET
Highly Scalable Saddle MOSFET for High-Density and High-Performance DRAM
著者 (3件):
PARK Ki-Heung
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
,
HAN Kyoung-Rok
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
,
LEE Jong-Ho
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
26
号:
9
ページ:
690-692
発行年:
2005年09月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)