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文献
J-GLOBAL ID：200902298672533504
整理番号：08A0428977
TiO2抵抗性スイッチングメモリアレイ用のPt/(In,Sn)2O3/TiO2 Schottky型ダイオードスイッチ
(In,Sn)2O3/TiO2/Pt Schottky-type diode switch for the TiO2 resistive switching memory array
SHIN Yong Cheol
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
,
SONG Jaewon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
,
KIM Kyung Min
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
,
CHOI Byung Joon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
,
CHOI Seol
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
,
LEE Hyun Ju
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
,
KIM Gun Hwan
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
,
EOM Taeyong
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
,
HWANG Cheol Seong
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 16 ページ： 162904 発行年： 2008年04月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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