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文献
J-GLOBAL ID：200902298739859086
整理番号：08A0701579
逆バイアスされたAlGaN/GaNヘテロ構造における弾性表面波
Surface Acoustic Waves in Reverse-Biased AlGaN/GaN Heterostructures
SHIGEKAWA Naoteru
(NTT Corp., Atsugi, JPN)
,
NISHIMURA Kazumi
(NTT Corp., Atsugi, JPN)
,
YOKOYAMA Haruki
(NTT Corp., Atsugi, JPN)
,
HOHKAWA Kohji
(Kanagawa Inst. Technol., Atsugi, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55 号： 7 ページ： 1585-1591 発行年： 2008年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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