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文献
J-GLOBAL ID：200902298772917261
整理番号：03A0225152
カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
Fabrication of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors by Using Position-Controlled Growth Technique.
大野雄高
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
岩附伸也
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
岸本茂
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
岡崎俊也
(名古屋大 大学院理学研究科)
,
篠原久典
(名古屋大 大学院理学研究科)
,
水谷孝
(名古屋大 大学院工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102 号： 641(SDM2002 252-263) ページ： 37-40 発行年： 2003年02月11日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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