文献
J-GLOBAL ID:200902298872445847
整理番号:03A0025179
ヘリウム照射した低いON状態電圧降下をもつ高電力PiNダイオード
Helium irradiated high-power P-i-N diode with low ON-state voltage drop.
著者 (3件):
VOBECKY J
(Czech Technical Univ. Prague, Praha, CZE)
,
HAZDRA P
(Czech Technical Univ. Prague, Praha, CZE)
,
ZAHLAVA V
(Czech Technical Univ. Prague, Praha, CZE)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
47
号:
1
ページ:
45-50
発行年:
2003年01月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)