文献
J-GLOBAL ID:200902298880467051
整理番号:06A0790421
ラジカルソース分子線エピタキシャル法によって成長させたZn極性を持つZnMgO/ZnOヘテロ構造における2次元電子ガス
Two-dimensional electron gas in Zn polar ZnMgO/ZnO heterostructures grown by radical source molecular beam epitaxy
著者 (8件):
TAMPO H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
SHIBATA H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
MATSUBARA K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
YAMADA A.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
FONS P.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
NIKI S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
YAMAGATA M.
(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan)
,
KANIE H.
(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
89
号:
13
ページ:
132113-132113-3
発行年:
2006年09月25日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)