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J-GLOBAL ID:200902298880467051   整理番号:06A0790421

ラジカルソース分子線エピタキシャル法によって成長させたZn極性を持つZnMgO/ZnOヘテロ構造における2次元電子ガス

Two-dimensional electron gas in Zn polar ZnMgO/ZnO heterostructures grown by radical source molecular beam epitaxy
著者 (8件):
TAMPO H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
SHIBATA H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
MATSUBARA K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
YAMADA A.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
FONS P.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
NIKI S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
YAMAGATA M.
(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan)
KANIE H.
(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 89  号: 13  ページ: 132113-132113-3  発行年: 2006年09月25日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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