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文献
J-GLOBAL ID：200902298960587244
整理番号：04A0632262
Si基板上の10GHzで出力密度7W/mmのAlGaN/GaN HEMT
AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with 7W/mm output power density at 10GHz
DUMKA D C
(TriQuint Semiconductor Texas, TX, USA)
,
LEE C
(TriQuint Semiconductor Texas, TX, USA)
,
TSERNG H Q
(TriQuint Semiconductor Texas, TX, USA)
,
SAUNIER P
(TriQuint Semiconductor Texas, TX, USA)
,
KUMAR M
(Lockheed Martin-NE & SS, NJ, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 40 号： 16 ページ： 1023-1024 発行年： 2004年08月05日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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