文献
J-GLOBAL ID:200902298991507290
整理番号:06A0516140
In0.25Ga0.75Nの格子整合ZnO上へのパルスレーザ蒸着による低温エピタキシャル成長
Low temperature epitaxial growth of In0.25Ga0.75N on lattice-matched ZnO by pulsed laser deposition
著者 (3件):
KOBAYASHI Atsushi
(Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
,
OHTA Jitsuo
(Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
,
FUJIOKA Hiroshi
(Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
99
号:
12
ページ:
123513-123513-4
発行年:
2006年06月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)