文献
J-GLOBAL ID:200902299469881730
整理番号:03A0618722
暗電流を遮断して応答スペクトルを同調させるために二つの厚いSiブロッキング層の間にサンドイッチしたGe量子ドット
Ge quantum dots sandwiched between two thick Si blocking layers to block the dark current and tune the responsivity spectrum
著者 (4件):
PENG Y H
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN C C
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
KUAN C H
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHENG H H
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
47
号:
10
ページ:
1775-1780
発行年:
2003年10月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)