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文献
J-GLOBAL ID：200902299566644808
整理番号：07A0802290
ナノ細線電界効果トランジスタの熱酸化中に誘起されるトランスコンダクタンスの増強
Transconductance enhancement of nanowire field-effect transistors by built-up stress induced during thermal oxidation
SEIKE A.
(Fac. of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Ohkubo 3-4-1, Shinjyuku, Tokyo 169-8555, JPN)
,
TANGE T.
(Fac. of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Ohkubo 3-4-1, Shinjyuku, Tokyo 169-8555, JPN)
,
SANO I.
(Fac. of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Ohkubo 3-4-1, Shinjyuku, Tokyo 169-8555, JPN)
,
SUGIURA Y.
(Fac. of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Ohkubo 3-4-1, Shinjyuku, Tokyo 169-8555, JPN)
,
KOSEMURA D.
(School of Sci. and Technol., Meiji Univ., 1-1-1 Higashimita, Tama-ku, Kawasaki, 214-8571, JPN)
,
OGURA A.
(School of Sci. and Technol., Meiji Univ., 1-1-1 Higashimita, Tama-ku, Kawasaki, 214-8571, JPN)
,
OHDOMARI I.
(Fac. of Sci. and Engineering, Waseda Univ., Ohkubo 3-4-1, Shinjyuku, Tokyo 169-8555, Japan; Kagami Memorial Lab. for ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 6 ページ： 062108-062108-3 発行年： 2007年08月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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