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文献
J-GLOBAL ID：200902299607237333
整理番号：08A0860485
Cu(1at%Ti)/低kサンプル中の自己形成Ti富裕バリア層の成長に及ぼす誘電体層組成の効果
Effects of Dielectric-Layer Composition on Growth of Self-Formed Ti-Rich Barrier Layers in Cu(1 at%Ti)/Low-k Samples
KOHAMA Kazuyuki
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ.)
,
ITO Kazuhiro
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ.)
,
TSUKIMOTO Susumu
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ.)
,
MORI Kenichi
(Process Technol. Dev. Div. Renesas Technol. Corp.)
,
MAEKAWA Kazuyoshi
(Process Technol. Dev. Div. Renesas Technol. Corp.)
,
MURAKAMI Masanori
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ.)
,
MURAKAMI Masanori
(The Ritsumeikan Trust)
資料名：
Materials Transactions
(Materials Transactions)
巻： 49 号： 9 ページ： 1987-1993 (J-STAGE) 発行年： 2008年
JST資料番号： G0668A ISSN： 1345-9678 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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