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文献
J-GLOBAL ID：200902299630934378
整理番号：07A0875250
0.25μm CMOS SRAMのシングルイベントアップセット応答をモデル化するためのRADSAFEの応用
Application of RADSAFE to Model the Single Event Upset Response of a 0.25μm CMOS SRAM
WARREN Kevin M.
(Inst. Space and Defense Electronics, TN, USA)
,
WELLER Robert A.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
SIERAWSKI Brian D.
(Inst. Space and Defense Electronics, TN, USA)
,
REED Robert A.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
MENDENHALL Marcus H.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
SCHRIMPF Ronald D.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
MASSENGILL Lloyd W.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
PORTER Mark E.
(Medtronic Microelectronics Center, Inc., AZ, USA)
,
WILKINSON Jeffrey D.
(Medtronic CRDM Device Technol., MN, USA)
,
LABEL Kenneth A.
(NASA, MD, USA)
,
ADAMS James H.
(NASA, AL, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 54 号： 4,Pt.2 ページ： 898-903 発行年： 2007年08月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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