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文献
J-GLOBAL ID：200902299857102522
整理番号：04A0439670
遷移金属イオンドーピングγ-Bi2O3半導体粒子を用いた光触媒水素生産
Photocatalytic hydrogen production using transition metal ions-doped γ-Bi2O3 semiconductor particles
GURUNATHAN K
(Centre for Materials for Electronics Technol., Pune, IND)
資料名：
International Journal of Hydrogen Energy
(International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 29 号： 9 ページ： 933-940 発行年： 2004年08月
JST資料番号： B0192B ISSN： 0360-3199 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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