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文献
J-GLOBAL ID：200902299884611927
整理番号：08A0812051
1MHzで300W出力電力をもつ97.8%高効率GaN系HEMT昇圧変換器
A 97.8% Efficient GaN HEMT Boost Converter With 300-W Output Power at 1MHz
WU Yifeng
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
,
JACOB-MITOS Matt
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
,
MOORE Marcia L.
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
,
HEIKMAN Sten
(Cree Santa Barbara Technol. Center, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 29 号： 8 ページ： 824-826 発行年： 2008年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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