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文献
J-GLOBAL ID：200902299927102916
整理番号：07A0926277
Ge凝縮法と低温移動増速エピタクシー法を用いたSi系基板へのGaAsエピタキシャル層の組み入れ
Integration of GaAs epitaxial layer to Si-based substrate using Ge condensation and low-temperature migration enhanced epitaxy techniques
OH Hoon Jung
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP)
,
CHOI Kyu Jin
(Jusung Engineering, Kyunggi-Do 464-890, KOR)
,
LOH Wei Yip
(Inst. of Microelectronics, Singapore 117685, SGP)
,
HTOO Thwin
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP)
,
CHUA Soo Jin
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP)
,
CHO Byung Jin
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 102 号： 5 ページ： 054306 発行年： 2007年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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