文献
J-GLOBAL ID:201002002930399120
整理番号:80A0190143
MBE法による非ドープGaAs膜
Undoped gallium arsenide films grown by molecular epitaxy.
著者 (4件):
BUDARNYKH V I
(Inst. Automation and Electrometry, Academy of Sciences of the USSR)
,
IVANCHENKO V A
(Inst. Automation and Electrometry, Academy of Sciences of the USSR)
,
LOGVINSKII L M
(Inst. Automation and Electrometry, Academy of Sciences of the USSR)
,
RYABCHENKO V E ́
(Inst. Automation and Electrometry, Academy of Sciences of the USSR)
資料名:
Sov Tech Phys Lett
(Soviet Technical Physics Letters)
巻:
5
号:
1
ページ:
15-16
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0665A
ISSN:
0360-120X
CODEN:
STPLD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)