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文献
J-GLOBAL ID：201002004747656400
整理番号：75A0028850
物理的寸法の極めて小さなイオン注入MOSFETの設計
Design of ion-implanted MOSFET’s with very small physical dimensions.
DENNARD R H
,
GAENSSLEN F H
,
YU H-N
,
RIDEOUT V L
,
BASSOUS E
,
LeBLANC A R
資料名：
I E E E J Solid-State Circuit (Inst Electr Electron Eng)
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 9 号： 5 ページ： 256-268 発行年： 1974年
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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