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文献
J-GLOBAL ID：201002017489100200
整理番号：80A0047541
熱酸化シリコンウエハにおけるESR中心,界面状態及び酸化物内固定電荷
ESR centers, interface states, and oxide fixed charge in thermally oxidized silicon wafers.
CAPLAN P J
(U.S. Army Electronics Technology and Devices Lab., New Jersey)
,
POINDEXTER E H
(U.S. Army Electronics Technology and Devices Lab., New Jersey)
,
DEAL B E
(Fairchild Camera and Instrument Corp., California)
,
RAZOUK R R
(Fairchild Camera and Instrument Corp., California)
資料名：
J Appl Phys
(Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 9 ページ： 5847-5854 発行年： 1979年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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