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文献
J-GLOBAL ID：201002020681060859
整理番号：78A0102459
Si3N4-Si系へイオン注入したときのノックオンN濃度分布
平尾孝
(松下電器産業中研)
,
井上かおる
(松下電器産業中研)
,
高柳重敏
(松下電器産業中研)
,
八重がし雄喜
(松下電子工業研)
資料名：
電子通信学会技術研究報告
(電子情報通信学会技術研究報告)
巻： 77 号： 148 ページ： 55-60 発行年： 1977年
JST資料番号： S0532B 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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