文献
J-GLOBAL ID:201002022883788687
整理番号:80A0051239
波長1.06μmのInGaAsのLED及びSiフォトダイオードにおける放射線効果
Radiation effects in 1.06-μm InGaAs LED’s and Si photodiodes.
著者 (1件):
BARNES C E
(Sandia Lab., New Mexico)
資料名:
J Appl Phys
(Journal of Applied Physics)
巻:
50
号:
8
ページ:
5242-5250
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)