文献
J-GLOBAL ID:201002023116675954
整理番号:80A0117661
Si熱酸化プロセス変数に関する界面状態密度の依存性
Dependence of interface state density on silicon thermal oxidation process variables.
著者 (2件):
RAZOUK R R
(Fairchild Camera and Instrument Corp., California)
,
DEAL B E
(Fairchild Camera and Instrument Corp., California)
資料名:
J Electrochem Soc
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
126
号:
9
ページ:
1573-1581
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
0013-4651
CODEN:
JESOA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)