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文献
J-GLOBAL ID：201002024926942025
整理番号：80A0205276
量子井戸形AlxGa1-xAs-GaAsヘテロ構造半導体レーザの電流しきい値の温度依存性
Temperature dependence of threshold current for quantum-well AlxGa1-xAs-GaAs heterostructure laser diodes.
CHIN R
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
HOLONYAK N Jr
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
VOJAK B A
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
HESS K
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
DUPUIS R D
(Rockwell International, California)
,
DAPKUS P D
(Rockwell International, California)
資料名：
Appl Phys Lett
(Applied Physics Letters)
巻： 36 号： 1 ページ： 19-21 発行年： 1980年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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