文献
J-GLOBAL ID:201002025873617549
整理番号:80A0070308
半導性MoS2におけるレドックス反応に対する結晶表面配向の効果
Influence of crystal surface orientation on redox reactions at semiconducting MoS2.
著者 (2件):
AHMED S M
(Fritz-Haber-Inst. Max-Planck-Gesellschaft, Germany)
,
GERISCHER H
(Fritz-Haber-Inst. Max-Planck-Gesellschaft, Germany)
資料名:
Electrochim Acta
(Electrochimica Acta)
巻:
24
号:
6
ページ:
705-711
発行年:
1979年
JST資料番号:
B0535B
ISSN:
0013-4686
CODEN:
ELCAA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)