文献
J-GLOBAL ID:201002027369658369
整理番号:80A0115872
新しい,単一素子ウエルのMOSFETゲート
A novel single-device-well MOSFET gate.
著者 (3件):
HAMDY E Z
(Univ. Waterloo, Canada)
,
ELMASRY M I
(Univ. Waterloo, Canada)
,
El-MANSY Y A
(Bell-Northern Research, Canada)
資料名:
Tech Dig Int Electron Devices Meet
(International Electron Devices Meeting)
巻:
1979
ページ:
576-580
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0829B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)