文献
J-GLOBAL ID:201002031578231604
整理番号:80A0100930
シリコン中のりんとほう素の高温の拡散は空孔によるか自己格子間によるか
High-temperature diffusion of phosphorus and boron in silicon via vacancies or via self-interstitials?
著者 (2件):
GOESELE U
(Max-Planck-Inst. Metallforschung, FRG)
,
STRUNK H
(Max-Planck-Inst. Metallforschung, FRG)
資料名:
Appl Phys
(Applied Physics)
巻:
20
号:
4
ページ:
265-273
発行年:
1979年
JST資料番号:
D0256B
ISSN:
0340-3793
CODEN:
APHYC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)