文献
J-GLOBAL ID:201002032002602379
整理番号:80A0315305
アンチモン化インジウムMIS素子に対する電離放射線効果
Ionizing radiation effects on indium antimonide MIS devices.
著者 (2件):
CHEN S C
(Northrop Research and Technology Center, CA)
,
SROUR J R
(Northrop Research and Technology Center, CA)
資料名:
IEEE Trans Nucl Sci
(IRE Transactions on Nuclear Science)
巻:
26
号:
6
ページ:
4824-4827
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)