文献
J-GLOBAL ID:201002032736600740
整理番号:80A0115874
選択的に酸化されたポリシリコンからの,新しい自己整合された,ソース/ドレイン拡散技術
A new self-aligned source/drain diffusion technology from selectively oxidized poly-silicon.
著者 (3件):
GOTO H
(Nippon Electric Co. Ltd., Kawasaki)
,
TAKEMAE K
(Nippon Electric Co. Ltd., Kawasaki)
,
AMANO H
(Nippon Electric Co. Ltd., Kawasaki)
資料名:
Tech Dig Int Electron Devices Meet
(International Electron Devices Meeting)
巻:
1979
ページ:
585-588
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0829B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)