文献
J-GLOBAL ID:201002033071849129
整理番号:80A0063869
ほう素注入N型シリコンの陽電子消滅
Positron annihilation in boron-implanted n-type silicon.
著者 (2件):
HUNG M-C
(National Tsing Hua Univ., Republic of China)
,
LUE J T
(National Tsing Hua Univ., Republic of China)
資料名:
Solid State Commun
(Solid State Communications)
巻:
32
号:
12
ページ:
1169-1172
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
CODEN:
SSCOA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)