文献
J-GLOBAL ID:201002033361716424
整理番号:80A0120399
ほう素の〈100〉けい素中への拡散に対する酸化の側面効果
The lateral effect of oxidation on boron diffusion in 〈100〉 silicon.
著者 (3件):
LIN A M
(Stanford Univ., California)
,
DUTTON R W
(Stanford Univ., California)
,
ANTONIADIS D A
(Massachusetts Inst. Technology)
資料名:
Appl Phys Lett
(Applied Physics Letters)
巻:
35
号:
10
ページ:
799-801
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)