文献
J-GLOBAL ID:201002034828842336
整理番号:80A0145362
同時Asイオン注入とSb蒸発によるSi分子ビームエピタキシーでのn形ドーピング技術
n-Type doping techniques in silicon molecular beam epitaxy by simultaneous arsenic ion implantation and by antimony evaporation.
著者 (1件):
OTA Y
(Bell Lab., Pennsylvania)
資料名:
J Electrochem Soc
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
126
号:
10
ページ:
1761-1765
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
0013-4651
CODEN:
JESOA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)