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文献
J-GLOBAL ID：201002035257445608
整理番号：80A0023539
金をドープしたMOSトランジスタ中の金表面状態エネルギレベルの研究
Investigations of gold surface-state energy levels in gold-doped MOS transistors.
MOGHAL G R
(P.C.S.I.R. Lab., Pakistan)
資料名：
Int J Electron
(International Journal of Electronics)
巻： 47 号： 2 ページ： 107-122 発行年： 1979年
JST資料番号： C0287B ISSN： 0020-7217 CODEN： IJELA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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