文献
J-GLOBAL ID:201002038804073639
整理番号:80A0178542
Si及びSiO2において活性的にスパッタされたガラス源からのほう素拡散
Boron diffusion from a reactively sputtered glass source in Si and SiO2.
著者 (5件):
BAGRATISHVILI G D
(Inst. Cybernetics, Academy of Sciences of the Georgian SSR)
,
DZHANELIDZE R B
(Inst. Cybernetics, Academy of Sciences of the Georgian SSR)
,
JISHIASHVILI D A
(Inst. Cybernetics, Academy of Sciences of the Georgian SSR)
,
PISKANOVSKII L V
(Inst. Cybernetics, Academy of Sciences of the Georgian SSR)
,
SHIOLASHVILI Z N
(Inst. Cybernetics, Academy of Sciences of the Georgian SSR)
資料名:
Phys Status Solide A
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
56
号:
1
ページ:
27-35
発行年:
1979年
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
東ドイツ (DDR)
言語:
英語 (EN)