文献
J-GLOBAL ID:201002041326969398
整理番号:80A0053847
トリメチルガリウム-アルシン法によって成長したエピタキシャルGaAsへのSiとGeのドーピング
Silicon and germanium doping of epitaxial gallium arsenide grown by the trimethylgallium-arsine method.
著者 (1件):
BASS S J
(Royal Signals and Radar Establishment, England)
資料名:
J Cryst Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
47
号:
5/6
ページ:
613-618
発行年:
1979年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
CODEN:
JCRGA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)