文献
J-GLOBAL ID:201002044136256637
整理番号:80A0040058
弱ビーム電子顕微鏡検査によって研究した半導体中の転位
Dislocations in semiconductors as studied by weak-beam electron microscopy.
著者 (2件):
COCKAYNE D J H
(Univ. Sydney, Australia)
,
HONS A
(Univ. Sydney, Australia)
資料名:
J Phys Colloq
(Journal de Physique. Colloque)
巻:
40
号:
C-6
ページ:
C6.11-C6.18
発行年:
1979年
JST資料番号:
A0743B
ISSN:
0449-1947
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
フランス (FRA)
言語:
英語 (EN)